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SKB10N60中文资料

  • 大小：296.89KB
  • 厂家：Siemens Semiconductor Group
  • 描述：Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技术中的快速 S-IGBT)
  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：IGBT 晶体管
  • 配置：Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：TO-263-3
  • 封装：Reel
  • 集电极最大连续电流 Ic：21 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 安装风格：SMD/SMT

SKB10N60供应商

更新时间:2023-01-11 02:10:12
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