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SKB10N60中文资料

  • 大小:296.89KB
  • 厂家:Siemens Semiconductor Group
  • 描述:Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode( NPT 技术中的快速 S-IGBT)
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装 / 箱体:TO-263-3
  • 封装:Reel
  • 集电极最大连续电流 Ic:21 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 安装风格:SMD/SMT

SKB10N60供应商

更新时间:2023-01-11 02:10:12
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